碲化镓(II)

产品概述

碲化镓(II)（Gallium(II) telluride），CAS 登记号 12024-14-5，又称碲化镓、一碲化镓。分子式 GaTe，分子量 197.32。纯品为黑色晶体或粉末，属单斜或六方晶系，密度 5.44 g/cm³，熔点 824 ℃。它是层状直接带隙半导体，室温带隙约 1.65 eV，用于光电探测、太阳能电池与二维器件研究。本品纯度 99.99% 至 99.999%（高纯试剂）。

理化性质

分子式为 GaTe，分子量 197.32。纯品为黑色晶体或粉末，单斜与六方两种晶型，密度 5.44 g/cm³，熔点 824 ℃。它是层状直接带隙半导体，室温带隙约 1.65 eV，层内由离子-共价键结合，层间主要为范德华力。晶体内存在 Ga—Ga 键，键长约 0.243 nm。它不溶于水，对湿气敏感，须干燥保存。六方晶型在 500 ℃ 退火后可转变为单斜晶型。该品在近红外波段具良好光电响应，具半导体与光电特性。

质量规格

运输信息

本品 GHS 危险信息为 H302+H312+H332 吞咽、皮肤接触与吸入有害，信号词警告。粉尘与蒸气中的碲化物具毒性，长期接触须防范。公开数据库未列载其联合国危险货物编号，通常按一般化学品受理。

运输途中保持干燥、密封，防止包装破损与受潮。作业人员佩戴防护手套、护目镜与防尘口罩，避免吸入粉尘及皮肤接触，操作后彻底清洗；泄漏物须收集并交专业机构处理。

用途与存储

本品是重要的层状化合物半导体材料。在光电探测领域，它用于制备高速近红外与可见光探测器，适用于医疗成像与激光雷达等方向。在光伏领域，它作为薄膜太阳能电池的吸收层材料，用于叠层电池研究。在纳米电子学中，它作为高迁移率场效应晶体管的沟道材料与二维异质结的 p 型组分。在量子技术中，它用于自旋电子学量子阱结构与量子通信的单光子发射器研究，并可作为生长拓扑绝缘体的衬底。储存须在室温、干燥、密封条件下进行，与强氧化剂分开存放。剩余物料按含碲废弃物单独收集处置。