氧化镓

产品概述

氧化镓（Gallium oxide），CAS 登记号 12024-21-4，又称三氧化二镓、氧化镓(Ⅲ)。分子式 Ga₂O₃，分子量 187.44。纯品为白色结晶粉末，密度 6.44 g/cm³，熔点约 1740 ℃。它是超宽禁带半导体材料，β 相带隙约 4.9 eV，用于功率器件、紫外滤光片与气体传感。本品纯度 99.99% 至 99.999%（高纯试剂）。

理化性质

分子式为 Ga₂O₃，分子量 187.44。纯品为白色结晶粉末，无臭，密度 6.44 g/cm³，熔点约 1740 ℃，折射率约 1.92，比热容约 0.49 J/(g·K)（晶体，25 ℃）。它有 α、β、γ、δ、ε 五种晶型，其中 β 相最稳定，带隙约 4.9 eV，介电常数约 10.2。它不溶于水，可溶于热酸与强碱溶液，对紫外光透明，热稳定性与化学惰性良好。加热至高纯相转变温度，其他晶型均可转变为 β 相。

质量规格

运输信息

本品为稳定的无机氧化物，GHS 未列载危险分类与危险信息，不属易燃、易爆或腐蚀性物质。粉尘大量吸入可刺激呼吸道，作业须防尘。公开数据库未列载其联合国危险货物编号，按一般化学品受理。

运输途中保持干燥、密封，防止包装破损与受潮。作业人员佩戴防尘口罩与手套，避免吸入粉尘，操作后清洗；泄漏物须收集并妥善处理。

用途与存储

本品是新兴的超宽禁带半导体材料。在功率电子领域，它因击穿电压高、泄漏电流小，用于大功率晶体管、二极管与高温、高压、抗辐照环境下的集成电路。在光电子领域，它作为紫外滤光片与日盲光电探测器的原料，用于光学仪器与太阳辐射监测，并作为镓基半导体的绝缘层。在气体传感领域，它对氧气等气体敏感，用于环境监测与工业安全检测。在材料与催化领域，它用于光催化与信息存储研究，并可与氟或多种金属氧化物反应制取镓酸盐与尖晶石结构材料。储存须在室温、干燥、密封条件下进行。剩余物料可按一般工业固废处置。