二硅化钨

产品概述

二硅化钨（Tungsten silicide），CAS 登记号 12039-88-2，又名硅化钨。分子式 WSi₂，分子量 240.01。本品为蓝灰色四方晶体，属难熔金属硅化物，兼具导电陶瓷特性与优异的高温稳定性。产品纯度为 99.5%，粒度 -325 目，包装规格 10 g 至 25 kg，广泛用于半导体器件与高温防护涂层。

理化性质

分子式为 WSi₂，分子量 240.01。外观为蓝灰色四方晶体，质地坚硬，晶体属 C11b 型结构，空间群 I4/mmm。密度 9.3 g/cm³，熔点 2160 ℃，室温电阻率约 33 μΩ·cm，用作微电子接触材料时电阻率为 60 至 80 μΩ·cm，热导率约 40.6 W/(m·K)。该品不溶于水，但对水性酸有反应，水解敏感性为 2 级，可与强酸、氟、氧化剂及卤间化合物发生剧烈反应，也能被熔融碱侵蚀。高温下抗氧化性能良好，热发射率高，适用于高温辐射散热场景。暴露限值为 ACGIH 时间加权平均 3 mg/m³。储存须置于阴凉、通风、密封的库房。

质量规格

运输信息

本品 GHS 分类为刺激性物质（GHS07），信号词警告，危险信息 H302 吞咽有害、H315 造成皮肤刺激、H319 造成严重眼刺激、H335 可能引起呼吸道刺激，防范提示 P261 避免吸入粉尘、P304+P340 吸入后移至新鲜空气处、P305+P351+P338 入眼后用水冲洗。该品粉尘可燃，德国水危害等级 WGK 3。公开数据库未列载其联合国危险货物编号，运输按一般化学品处理。作业时佩戴防尘面具、护目镜与防护手套，避免粉尘积聚。泄漏物用工具收集后密闭存放，不得排入水体。

用途与存储

本品是半导体与高温材料领域的常用功能材料。在微电子领域，它作为接触材料与多晶硅线上的分流层使用，可提高多晶硅线的导电性并提升信号传输速度，也作为硅与其他金属之间的阻挡层，是钨膜的早期替代材料。在薄膜制备领域，它通过化学气相沉积法由硅烷或二氯硅烷与六氟化钨反应制得，沉积膜经退火后转为导电性更佳的理想化学计量形式，用于微机电系统的微型电路制造。在高温防护领域，它作为抗氧化涂层使用，凭借高发射率适用于高温辐射冷却与热屏蔽结构。在陶瓷与靶材领域，它用于制备溅射靶材与导电陶瓷部件。储存须在阴凉、通风、密封防潮条件下进行，与强酸、氟、氧化剂分开存放。剩余物料按金属硅化物废料统一回收处置。