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氧化铪(IV)

氧化铪(IV)

氧化铪(IV)

Hafnium oxide

中文别名氧化铪、氧化铪(IV)、二氧化铪、Hafnium oxide
CAS号12055-23-1
分子式HfO2
分子量210.49
产品分类普通化学品
纯度99.9%(高纯试剂),99.99%(高纯试剂),粉末, 98%
包装规格1g,2g,5g,10g,25g,25kg,50g,100g,200kg,250g,500g

产品详情

产品概述

氧化铪(IV)(Hafnium oxide),CAS 登记号 12055-23-1,又名二氧化铪、氧化铪。分子式 HfO2,分子量 210.49。本品为白色至灰白色粉末,属铪系无机氧化物。产品提供 99.9% 与 99.99% 高纯试剂及 98% 粉末规格,包装规格 1 g 至 200 kg,用于高介电栅极材料、光学镀膜、高温耐火材料与核工业等领域。

理化性质

分子式为 HfO2,分子量 210.49。外观为白色至灰白色粉末,密度 9.68 g/cm³(单斜相),四方相与立方相密度分别为 10.1 与 10.3 g/cm³,熔点 2758 ℃,沸点 5400 ℃。该品不溶于水、盐酸与硝酸,可溶于浓硫酸与氢氟酸。带隙 5.3 至 5.7 eV,属宽禁带绝缘体,介电常数约 20 至 25,可见光区折射率约 1.95 至 2.1,线膨胀系数约 5.6×10⁻⁶/K。二氧化铪化学性质惰性,与浓硫酸、强碱反应缓慢;高温下在石墨或四氯化碳存在时与氯反应生成四氯化铪。薄膜形态可通过原子层沉积制备,是替代二氧化硅栅极绝缘层的高介电材料。本品非易燃,储存须密封防潮。

外观形态白色至灰白色粉末
分子式HfO₂
分子量210.49
密度9.68 g/cm³(单斜相)
熔点2758 ℃
沸点5400 ℃
带隙5.3 至 5.7 eV
介电常数约 20 至 25
折射率约 1.95 至 2.1(可见光区)
线膨胀系数约 5.6×10⁻⁶/K
水中溶解性不溶
酸中溶解性不溶于盐酸与硝酸,溶于浓硫酸与氢氟酸
晶体结构单斜相、四方相与立方相
InChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N
储存条件密封、干燥、通风、无腐蚀性气体环境
纯度等级98% 至 99.99%
海关编码2825.90.85

质量规格

本品可由硫酸铪、氯氧化铪等化合物的热分解或水解制得,也可通过气相沉积与等离子喷涂工艺制备薄膜与涂层。产品按高纯试剂与工业粉末分级供应,纯度按金属基计可在 98% 至 99.99% 范围内。质量控制覆盖外观、纯度、平均粒径、比表面积、锆含量与灼烧减量等项目,粒径支持纳米级、微米级与特定目数规格定制。包装采用密封瓶或内衬聚乙烯袋的塑料桶,储存与运输须防潮防压。

产品名称氧化铪(IV)
CAS 号12055-23-1
分子式HfO₂
分子量210.49
纯度98%、99.9%、99.99%
外观白色至灰白色粉末
平均粒径纳米级、微米级可定制
锆含量按批次控制
灼烧减量不高于 1.0%
包装规格1 g、2 g、5 g、10 g、25 g、50 g、250 g、500 g、25 kg、200 kg
储存要求密封、干燥、避免与酸碱接触

运输信息

本品属一般无机氧化物,公开数据库未列载其联合国危险货物编号,运输按普通化学品处理。危险信息:现有数据库未收录完整 GHS 分类,按一般无机氧化物粉尘防护。防范事项:作业时佩戴防尘口罩、防护手套与护目镜,在通风良好处操作,避免吸入粉尘与皮肤、眼睛接触;纳米级粉体须防止扬尘并避免长时间吸入。本品非易燃,储存与运输须保持容器密闭、防潮防压,避免与强酸、强碱接触。泄漏物用惰性材料收集后密闭存放,按一般工业固体废弃物处置,不得排入水体与下水道。

用途与存储

本品是高介电与耐高温无机功能材料。在微电子领域,它作为高介电常数栅极绝缘层用于先进金属氧化物半导体器件与动态随机存储器电容器,可显著降低栅极漏电流。在光学领域,它作为高折射率镀膜材料用于高功率激光器、紫外光学元件与反射镜,具备较高的激光损伤阈值。在高温材料领域,它用于制造超高温耐火坩埚、热障涂层与陶瓷基复合材料,在极端高温环境下提供热防护。在核工业领域,它用于制备金属铪及其合金、核反应堆控制棒材料与抗辐射涂料。此外,它还作为催化剂载体用于催化体系。储存须在密封、干燥、通风条件下进行。废弃粉体按一般工业固体废弃物统一收集处置。

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相关关键词: 氧化铪,12055-23-1,氧化铪(IV),二氧化铪,Hafnium oxide,HfO2

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