锑化镓

产品概述

锑化镓（Gallium antimonide），CAS 登记号 12064-03-8，又名锑化镓(III)、一锑化镓。分子式 GaSb，分子量 191.48，是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。本品为黑灰色带金属光泽的固体或棕色立方晶体，属闪锌矿型直接带隙材料，禁带宽度约 0.726 eV（300 K）。产品可供应 99.99%、99.999% 高纯试剂级，包装规格 1 g 至 200 kg，用于红外探测器、激光器与热光伏器件。平台分类为普通化学品。

理化性质

分子式为 GaSb，分子量 191.48。外观为黑灰色金属光泽固体或棕色立方晶体，具闪锌矿型结构（空间群 F-43m，晶格常数约 0.610 nm）。密度 5.614 g/cm³，熔点约 712 ℃，禁带宽度 0.726 eV（300 K，直接带隙），电子迁移率约 3000 cm²/(V·s)（300 K），热导率 0.32 W/(cm·K)，折射率 3.8，努氏显微硬度约 4480 N/mm²。该品几乎不溶于水，具有天然的 p 型导电性。与多数Ⅲ-Ⅴ族半导体不同，它不易制得半绝缘材料。单晶生长中锑易离解挥发，通常采用液封直拉法控制化学计量比。储存须在干燥、密闭条件下进行。

质量规格

运输信息

该品在公开数据库中被列入运输危险货物，编号为 UN 1549（6.1 类无机锑化合物，包装类别 III），运输时须保持容器密闭，避免与酸类物质同储同运，防止粉尘飞扬与环境污染。GHS 分类信号词为警告，危险信息包含 H302（吞咽有害）、H332（吸入有害）、H411（对水生生物有毒且影响持久），防范事项包含 P273。作业时佩戴防尘口罩、护目镜与手套，在通风良好处操作，避免粉尘吸入与皮肤接触。泄漏物用惰性材料收集，按含锑危险废弃物处置，严禁排入水体与下水道。

用途与存储

本品是中红外光电器件的衬底与有源材料。在红外探测领域，它作为衬底材料用于 8 至 14 μm 及更长波段的红外探测器与激光器，是红外光电探测的核心材料之一。在热光伏领域，掺碲的锑化镓可用于制备高光电转化效率的热光伏器件与迭层太阳能电池。在光电子领域，它用于低阈值激光二极管、高量子效率光电探测器与高频器件。在半导体研究领域，它作为窄带隙Ⅲ-Ⅴ族材料用于能带工程与异质结研究。在热电与微波领域，它用于微波器件与热电转换结构。单晶生长通常采用液封直拉法抑制锑的离解挥发。储存须在干燥、密闭条件下进行，剩余物料按含锑废弃物统一收集处置。