硒化钨(IV)

产品概述

硒化钨(IV)（Tungsten(IV) selenide），CAS 登记号 12067-46-8，又名二硒化钨。分子式 WSe₂，分子量 341.76，是典型的过渡金属硫族化合物。本品为灰色至黑色固体粉末或晶体，具六方层状结构。产品可供应 99.8%（高纯）、99.99%（高纯）及 99.999% 高纯试剂级，包装规格 2 g 至 200 kg，用于二维半导体、光电器件、固体润滑与能源存储。平台分类为普通化学品。

理化性质

分子式为 WSe₂，分子量 341.76。外观为灰色至黑色固体粉末，具六方层状结构，层内钨原子与六个硒原子经共价键呈三棱镜配位结合，层间靠微弱范德华力堆叠（钨硒键长约 2.526 Å）。密度 9.32 g/cm³，热导率约 3.431 W/(m·K)，热传导性能很低。该品属 p 型半导体，体相带隙约 1.0 至 1.35 eV（间接），单层转变为直接带隙，约 1.65 至 1.7 eV；电子迁移率高、光吸收系数大。化学稳定性强，耐酸碱、抗氧化，微溶于水，可剥离为单层或少层二维纳米片。储存须在干燥、密闭、阴凉条件下进行。

质量规格

运输信息

该品在公开数据库中未列入运输危险货物，属一般无机化合物，运输按一般化学品处理。因其含硒，吸入或误食可能有害，作业时须佩戴防尘口罩、护目镜与手套，在通风良好处操作，避免粉尘吸入与皮肤接触；操作后彻底清洗。储存与运输须保持容器密闭防潮，远离强酸、强氧化剂与食品。泄漏物用惰性材料收集，避免扬尘，按含硒废弃物处置，不得排入水体与下水道。

用途与存储

本品是二维材料与光电领域的重要半导体。在二维半导体领域，单层硒化钨为直接带隙半导体，作为二维沟道材料用于场效应晶体管与逻辑器件，具有高开关比与低功耗，适配柔性、微型化芯片。在光电器件领域，它用于光电探测器、发光二极管与太阳能电池，实现近红外光响应与光电转换，其光电极在酸性与碱性条件下均较稳定，可用于光电化学电池。在润滑领域，其层状结构易滑移、摩擦系数低，用作高温、真空、高压条件下的固体润滑剂与润滑涂层，优于传统二硫化钼。在能源存储领域，它用于锂离子与钠离子电池负极及超级电容器，层间可嵌入金属离子。在催化与传感领域，它用于电催化析氢、气体与生物传感器。储存须在干燥、密闭、阴凉条件下进行，剩余物料按含硒废弃物统一收集处置。